ご採用の経緯
お客様ご採用商品
次世代パワー半導体、SiC(シリコンカーバイド) ショットキーバリアダイオード。
お客様ご採用メリット
デバイス損失の大幅削減により、機器の高効率化、小型化を実現。
お客様製品
インバータ
お客様の問題点
これまでシリコンデバイスを使用していたが、損失が大きく、熱の問題で機器の小型化が出来ない。
弊社提案内容
低抵抗、低リカバリ損失により、大幅に熱損失削減。機器の高効率化と小型化を実現可能。
小型化について
次世代パワー半導体、SiC(シリコンカーバイド) ショットキーバリアダイオード主な特長
- 「損失が少なく、高効率」
低リカバリ損失で、電源効率向上。 - 「超高速、低ノイズスイッチング特性」
低抵抗、高速スイッチングで機器の小型化、高効率化を実現。 - 「安定したスイッチング特性」
高温時も電流増大による熱暴走が無く、安定したスイッチング特性を維持。
お困りのことがありましたら、まずはお気軽にご相談ください。
