No 190【ローム】超高速スイッチングタイプSiC-SBD内蔵 Hybrid IGBT

特長

• 低損失化：従来品IGBT比で67%の低損失化を実現。SJ-MOSFETよりも24%低損失化が可能
• 幅広い周波数：97%以上の高効率を確保でき、動作周波数100kHz時にIGBT比で3%の高効率化を実現
• 650V耐圧
• AEC-Q101に準拠で、過酷な環境下で使用可能

主な用途

• 無停電電源装置（UPS）
• 太陽光発電インバータ（パワーコンディショナー）

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